Bauelemente der Leistungselektronik und ihre Anwendungen: Vorträge der ETG-Fachtagung am 13. und 14. Mai 1992 in Bad Nauheim
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INHALT
Bauelemente
Leistungshalbleiter: Rückblick, Stand der Technik und Ausblick 7
Dir. K.-H. Ginsbach, eupec GmbH &
Co KG,
Warstein-Belecke
Aktuelle Entwicklungen bei schnell schaltenden Leistungsdioden 25
Dr. F. Kaußen, eupec GmbH &
Co KG,
Warstein-Belecke und
Dr. H. Schlangenotto, Daimler Benz, Forschungsinstitut Frankfurt
Aktuelle Entwicklungen bei Hochleistungsthyristoren 41
Dr. H. Mitlehner und Dr. H.-J. Schulze, Siemens AG, München
Aktuelle Entwicklungen bei GTO-Thyristoren 59
Dr. J. Waldmeyer, Dr. E. Ramezani und Dr. P. Streit,
ABB Semiconductors
AG, Lenzburg, Schweiz
Aktuelle Entwicklungen bei bipolaren Transistoren 75
Dipl.-Ing. E. Schulz, SEMIKRONElektronik GmbH, Nürnberg
MOS-gesteuerte Leistungshalbleiter-Bauelemente
im Spannungsbereich von 50
V
bis 2000
V.
89
Dr. L. Lorenz, Siemens AG, München
Aktuelle Entwicklungen bei SMART-Power Elementen 105
Dr. J.
Tihanyi,
Siemens AG, München
Eigenschaften des IGBT in neuen Stromrichterkonzepten 123
Dipl.-Ing. W. Bösterling, Dipl.-Ing. R. Jörke und
Dipl.-Ing. M. Tscharn, eupec GmbH &
Co KG,
Warstein-Belecke
Leistungshalbleiter-Module
Die automatisierte Fertigung von Thyristormodulen 135
Dr. P. Mourick und Dipl.-Ing. M. Bauerreis,
SEMIKRON Elektronik GmbH, Nürnberg
Modultechnik für hohe Frequenzen in der Leistungselektronik 145
Dr. R. Bayerer, ABB-LXYS, Lampertheim
Die Technik intelligenter Module 153
Dipl.-Ing. M. Schulze, Dipl.-Ing. M. Tscharn und
Dipl.-Ing. A. Wiesenthal, eupec GmbH &
Co KG,
Warstein-Belecke
Systemintegration in der elektrischen Antriebstechnik 165
Dipl.-Ing. G. Hollnagel, Dipl.-Ing. W. Kiel und Dr. W. Schuhmacher,
Institut
får
angewandte Mikroelektronik, Braunschweig
Anwendungen
Bewertung und Zukunftperspektiven der Leistungshalbleiter 177
Prof. Dr. K. Heumann, Technische Universität Berlin
Anforderungen an Leistungshalbleiter
aus der Sicht des Anwenders 195
Dipl.-Ing. Ch. Ruetsch,
ABB
Drives AG, Turgi, Schweiz
GTO-Einsatz bei Bahnfahrzeugen 203
Dr. R. Marquardt, Siemens-AG, Erlangen
Frequenzumrichter hoher Leistung
mit abschaltbaren Thyristoren 223
Dr. P. K. Steimer,
ABB
Drives AG, Turgi, Schweiz
Resonanzstromrichter mit abschaltbaren Halbleitern 235
Prof. Dr. H.-Ch. Skudelny, Dr. J. G. Langer,
Dipl.-Ing. A. Mertens und Dipl.-Ing. L. Schülting,
Rheinisch-Westfälische Technische Hochschule Aachen
Verteilte Oberschwingungskompensation durch Netzgeräte 251
Prof. Dr. R. Gretsch und Dipl.-Ing. W. Gunselmann,
Universität Erlangen
IGBT Einsatztechnik in Umrichtern 265
Dipl.-Ing. P. Zwanziger, Siemens AG, Erlangen
IGBT-Wechselrichter für Antriebe in Industrie und Verkehr 281
Dr. S.
Salama
und Dr. Y. Tadros, AEG AG, Berlin
Umrichter mit Bipolartransistoren und IGBTs -
Bewertung am Beispiel von USV-Umrichtern 297
Dr. G. Vaupel, Siemens-AG, Erlangen
400 Hz - Stromversorgungssysteme mit IGBT
für EDV-Anlagen und Bodenstromversorgung von Flugzeugen 313
Prof. Dr. M.
Clewing, AEG-AG,
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