Modellierung von buried-channel MOS-Transistoren, insbesondere des Zusammenhangs zwischen Implantationsprofil und Substrateffekt:
Gespeichert in:
Bibliographische Detailangaben
1. Verfasser: Gabler, Lutz (VerfasserIn)
Format: Buch
Sprache:German
Veröffentlicht: 1978
Schlagworte:
Beschreibung:Dortmund, Diss.
Beschreibung:160 S. Ill., zahlr. graph. Darst.

Es ist kein Print-Exemplar vorhanden.

Fernleihe Bestellen Achtung: Nicht im THWS-Bestand!