Giebel, T. (1988). Die Alterung bei N-Kanal-MOS-Transistoren unter dem Einfluß hochenergetischer Ladungsträger, der Hot-Electron-Effekt (Als Ms. gedr.). VDI-Verl.
Chicago-Zitierstil (17. Ausg.)Giebel, Thomas. Die Alterung Bei N-Kanal-MOS-Transistoren Unter Dem Einfluß Hochenergetischer Ladungsträger, Der Hot-Electron-Effekt. Als Ms. gedr. Düsseldorf: VDI-Verl, 1988.
MLA-Zitierstil (9. Ausg.)Giebel, Thomas. Die Alterung Bei N-Kanal-MOS-Transistoren Unter Dem Einfluß Hochenergetischer Ladungsträger, Der Hot-Electron-Effekt. Als Ms. gedr. VDI-Verl, 1988.
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