Heime, A. (1977). Einfluß der Halbleiter-Oxid-Grenzschicht auf das Wechselstromverhalten von InSb-MOS-Strukturen im Temperaturbereich von 5K bis 300K.
Chicago-Zitierstil (17. Ausg.)Heime, Axel. Einfluß Der Halbleiter-Oxid-Grenzschicht Auf Das Wechselstromverhalten Von InSb-MOS-Strukturen Im Temperaturbereich Von 5K Bis 300K. Darmstadt, 1977.
MLA-Zitierstil (9. Ausg.)Heime, Axel. Einfluß Der Halbleiter-Oxid-Grenzschicht Auf Das Wechselstromverhalten Von InSb-MOS-Strukturen Im Temperaturbereich Von 5K Bis 300K. 1977.
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