Modellierung von buried-channel MOS-Transistoren, insbesondere des Zusammenhangs zwischen Implantationsprofil und Substrateffekt:
Gespeichert in:
| 1. Verfasser: | |
|---|---|
| Format: | Abschlussarbeit Buch |
| Sprache: | German |
| Veröffentlicht: |
Dortmund
1978
|
| Schlagworte: | |
| Beschreibung: | 160 S. |
Internformat
MARC
| LEADER | 00000nam a2200000 c 4500 | ||
|---|---|---|---|
| 001 | BV002090988 | ||
| 003 | DE-604 | ||
| 005 | 00000000000000.0 | ||
| 007 | t | ||
| 008 | 890928s1978 m||| 00||| ger d | ||
| 035 | |a (OCoLC)604285023 | ||
| 035 | |a (DE-599)BVBBV002090988 | ||
| 040 | |a DE-604 |b ger |e rakddb | ||
| 041 | 0 | |a ger | |
| 049 | |a DE-91 |a DE-83 |a DE-11 |a DE-188 | ||
| 100 | 1 | |a Gabler, Lutz |e Verfasser |4 aut | |
| 245 | 1 | 0 | |a Modellierung von buried-channel MOS-Transistoren, insbesondere des Zusammenhangs zwischen Implantationsprofil und Substrateffekt |
| 264 | 1 | |a Dortmund |c 1978 | |
| 300 | |a 160 S. | ||
| 336 | |b txt |2 rdacontent | ||
| 337 | |b n |2 rdamedia | ||
| 338 | |b nc |2 rdacarrier | ||
| 502 | |a Dortmund, Univ., Diss., 1978 | ||
| 650 | 4 | |a METAL OXIDE SEMICONDUCTOR TRANSISTORS, MOS (ELECTRONICS) | |
| 650 | 4 | |a METAL OXIDE SEMICONDUCTOR TRANSISTORS, MOS (ÉLECTRONIQUE) | |
| 650 | 4 | |a METAL OXIDE SEMICONDUCTOR-TRANSISTOREN, MOS (ELEKTRONIK) | |
| 655 | 7 | |0 (DE-588)4113937-9 |a Hochschulschrift |2 gnd-content | |
| 940 | 1 | |q TUB-nveb | |
| 999 | |a oai:aleph.bib-bvb.de:BVB01-001369624 | ||
Datensatz im Suchindex
| _version_ | 1804116542938415104 |
|---|---|
| any_adam_object | |
| author | Gabler, Lutz |
| author_facet | Gabler, Lutz |
| author_role | aut |
| author_sort | Gabler, Lutz |
| author_variant | l g lg |
| building | Verbundindex |
| bvnumber | BV002090988 |
| ctrlnum | (OCoLC)604285023 (DE-599)BVBBV002090988 |
| format | Thesis Book |
| fullrecord | <?xml version="1.0" encoding="UTF-8"?><collection xmlns="http://www.loc.gov/MARC21/slim"><record><leader>01081nam a2200313 c 4500</leader><controlfield tag="001">BV002090988</controlfield><controlfield tag="003">DE-604</controlfield><controlfield tag="005">00000000000000.0</controlfield><controlfield tag="007">t</controlfield><controlfield tag="008">890928s1978 m||| 00||| ger d</controlfield><datafield tag="035" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">(OCoLC)604285023</subfield></datafield><datafield tag="035" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">(DE-599)BVBBV002090988</subfield></datafield><datafield tag="040" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">DE-604</subfield><subfield code="b">ger</subfield><subfield code="e">rakddb</subfield></datafield><datafield tag="041" ind1="0" ind2=" "><subfield code="a">ger</subfield></datafield><datafield tag="049" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">DE-91</subfield><subfield code="a">DE-83</subfield><subfield code="a">DE-11</subfield><subfield code="a">DE-188</subfield></datafield><datafield tag="100" ind1="1" ind2=" "><subfield code="a">Gabler, Lutz</subfield><subfield code="e">Verfasser</subfield><subfield code="4">aut</subfield></datafield><datafield tag="245" ind1="1" ind2="0"><subfield code="a">Modellierung von buried-channel MOS-Transistoren, insbesondere des Zusammenhangs zwischen Implantationsprofil und Substrateffekt</subfield></datafield><datafield tag="264" ind1=" " ind2="1"><subfield code="a">Dortmund</subfield><subfield code="c">1978</subfield></datafield><datafield tag="300" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">160 S.</subfield></datafield><datafield tag="336" ind1=" " ind2=" "><subfield code="b">txt</subfield><subfield code="2">rdacontent</subfield></datafield><datafield tag="337" ind1=" " ind2=" "><subfield code="b">n</subfield><subfield code="2">rdamedia</subfield></datafield><datafield tag="338" ind1=" " ind2=" "><subfield code="b">nc</subfield><subfield code="2">rdacarrier</subfield></datafield><datafield tag="502" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">Dortmund, Univ., Diss., 1978</subfield></datafield><datafield tag="650" ind1=" " ind2="4"><subfield code="a">METAL OXIDE SEMICONDUCTOR TRANSISTORS, MOS (ELECTRONICS)</subfield></datafield><datafield tag="650" ind1=" " ind2="4"><subfield code="a">METAL OXIDE SEMICONDUCTOR TRANSISTORS, MOS (ÉLECTRONIQUE)</subfield></datafield><datafield tag="650" ind1=" " ind2="4"><subfield code="a">METAL OXIDE SEMICONDUCTOR-TRANSISTOREN, MOS (ELEKTRONIK)</subfield></datafield><datafield tag="655" ind1=" " ind2="7"><subfield code="0">(DE-588)4113937-9</subfield><subfield code="a">Hochschulschrift</subfield><subfield code="2">gnd-content</subfield></datafield><datafield tag="940" ind1="1" ind2=" "><subfield code="q">TUB-nveb</subfield></datafield><datafield tag="999" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">oai:aleph.bib-bvb.de:BVB01-001369624</subfield></datafield></record></collection> |
| genre | (DE-588)4113937-9 Hochschulschrift gnd-content |
| genre_facet | Hochschulschrift |
| id | DE-604.BV002090988 |
| illustrated | Not Illustrated |
| indexdate | 2024-07-09T15:40:10Z |
| institution | BVB |
| language | German |
| oai_aleph_id | oai:aleph.bib-bvb.de:BVB01-001369624 |
| oclc_num | 604285023 |
| open_access_boolean | |
| owner | DE-91 DE-BY-TUM DE-83 DE-11 DE-188 |
| owner_facet | DE-91 DE-BY-TUM DE-83 DE-11 DE-188 |
| physical | 160 S. |
| psigel | TUB-nveb |
| publishDate | 1978 |
| publishDateSearch | 1978 |
| publishDateSort | 1978 |
| record_format | marc |
| spelling | Gabler, Lutz Verfasser aut Modellierung von buried-channel MOS-Transistoren, insbesondere des Zusammenhangs zwischen Implantationsprofil und Substrateffekt Dortmund 1978 160 S. txt rdacontent n rdamedia nc rdacarrier Dortmund, Univ., Diss., 1978 METAL OXIDE SEMICONDUCTOR TRANSISTORS, MOS (ELECTRONICS) METAL OXIDE SEMICONDUCTOR TRANSISTORS, MOS (ÉLECTRONIQUE) METAL OXIDE SEMICONDUCTOR-TRANSISTOREN, MOS (ELEKTRONIK) (DE-588)4113937-9 Hochschulschrift gnd-content |
| spellingShingle | Gabler, Lutz Modellierung von buried-channel MOS-Transistoren, insbesondere des Zusammenhangs zwischen Implantationsprofil und Substrateffekt METAL OXIDE SEMICONDUCTOR TRANSISTORS, MOS (ELECTRONICS) METAL OXIDE SEMICONDUCTOR TRANSISTORS, MOS (ÉLECTRONIQUE) METAL OXIDE SEMICONDUCTOR-TRANSISTOREN, MOS (ELEKTRONIK) |
| subject_GND | (DE-588)4113937-9 |
| title | Modellierung von buried-channel MOS-Transistoren, insbesondere des Zusammenhangs zwischen Implantationsprofil und Substrateffekt |
| title_auth | Modellierung von buried-channel MOS-Transistoren, insbesondere des Zusammenhangs zwischen Implantationsprofil und Substrateffekt |
| title_exact_search | Modellierung von buried-channel MOS-Transistoren, insbesondere des Zusammenhangs zwischen Implantationsprofil und Substrateffekt |
| title_full | Modellierung von buried-channel MOS-Transistoren, insbesondere des Zusammenhangs zwischen Implantationsprofil und Substrateffekt |
| title_fullStr | Modellierung von buried-channel MOS-Transistoren, insbesondere des Zusammenhangs zwischen Implantationsprofil und Substrateffekt |
| title_full_unstemmed | Modellierung von buried-channel MOS-Transistoren, insbesondere des Zusammenhangs zwischen Implantationsprofil und Substrateffekt |
| title_short | Modellierung von buried-channel MOS-Transistoren, insbesondere des Zusammenhangs zwischen Implantationsprofil und Substrateffekt |
| title_sort | modellierung von buried channel mos transistoren insbesondere des zusammenhangs zwischen implantationsprofil und substrateffekt |
| topic | METAL OXIDE SEMICONDUCTOR TRANSISTORS, MOS (ELECTRONICS) METAL OXIDE SEMICONDUCTOR TRANSISTORS, MOS (ÉLECTRONIQUE) METAL OXIDE SEMICONDUCTOR-TRANSISTOREN, MOS (ELEKTRONIK) |
| topic_facet | METAL OXIDE SEMICONDUCTOR TRANSISTORS, MOS (ELECTRONICS) METAL OXIDE SEMICONDUCTOR TRANSISTORS, MOS (ÉLECTRONIQUE) METAL OXIDE SEMICONDUCTOR-TRANSISTOREN, MOS (ELEKTRONIK) Hochschulschrift |
| work_keys_str_mv | AT gablerlutz modellierungvonburiedchannelmostransistoreninsbesonderedeszusammenhangszwischenimplantationsprofilundsubstrateffekt |