Gabler, L. (1978). Modellierung von buried-channel MOS-Transistoren, insbesondere des Zusammenhangs zwischen Implantationsprofil und Substrateffekt.
Chicago Style (17th ed.) CitationGabler, Lutz. Modellierung Von Buried-channel MOS-Transistoren, Insbesondere Des Zusammenhangs Zwischen Implantationsprofil Und Substrateffekt. Dortmund, 1978.
MLA (9th ed.) CitationGabler, Lutz. Modellierung Von Buried-channel MOS-Transistoren, Insbesondere Des Zusammenhangs Zwischen Implantationsprofil Und Substrateffekt. 1978.
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