Fernholz, G. (1984). Vollimplantierte 0,8 Mym Gate-Silizium-MESFETs mit eliminierten Kurzkanal-Effekten.
Chicago-Zitierstil (17. Ausg.)Fernholz, Gabi. Vollimplantierte 0,8 Mym Gate-Silizium-MESFETs Mit Eliminierten Kurzkanal-Effekten. 1984.
MLA-Zitierstil (9. Ausg.)Fernholz, Gabi. Vollimplantierte 0,8 Mym Gate-Silizium-MESFETs Mit Eliminierten Kurzkanal-Effekten. 1984.
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