Zum Wachstum von GaAs aus metall-organischen Ga-Verbindungen und Arsin:
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1985
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| adam_text | ZUM WACHSTUM VON GAAS AUS METALL-ORGANISCHEN GA-VERBINDUNGEN UND ARSIN
VON DER FAKULTAET FUER ELEKTROTECHNIK DER RHEINISCH-WESTFAELISCHEN
TECHNISCHEN HOCHSCHULE AACHEN ZUR ERLANGUNG DES AKADEMISCHEN GRADES
EINES DOKTORS DER NATURWISSENSCHAFTEN GENEHMIGTE DISSERTATION VORGELEGT
VON DIPLOM PHYSIKER NORBERT PUTZ _^,^ -AUS, HELLENTHAF # - - * - ,
REFERENT: PROF. DR. RER. NAT. P. BALK 1. KORREFERENT: PROF. DR. RER.
NAT. K.-A. HEMPEL 2. KORREFERENT: PROF. DR. RER. NAT. H. LUETH TAG DER
MUENDLICHEN PRUEFUNG: 8. FEBRUAR 1985 INHALTSVERZEICHNIS SEITE EINLEITUNG
UND AUFGABENSTELLUNG 2. THEORETISCHE BETRACHTUNGEN ZUM KRISTALLWACHSTUM
MIT METALL-ORGANISCHEN AUSGANGSKOMPONENTEN 4 2.1 EPITAKTISCHES WACHSTUM
IM DURCHFLUSSREAKTOR 5 2.2 EPITAKTISCHES WACHSTUM IM UHV-SYSTEM 11 3.
VERSUCHSDURCHFUEHRUNG 15 3.1 MOCVD-APPARATUR 15 3.2 VERSUCHSABLAUF BEI
MOCVD 17 3.3 MOMBE-APPARATUR 19 3.4 VERSUCHSABLAUF BEI MOMBE 24
EXPERIMENTELLE ERGEBNISSE 26 4.1 DURCHFLUSSREAKTOR 26 4.1.1
WACHSTUMSRATEN 26 4.1.2 ELEKTRISCHE UND OPTISCHE EIGENSCHAFTEN 37 4.2
UHV-SYSTEM 42 4.2.1 ZERLEGUNG VON TMG, TEG, ASH 3 UND CH 4 42 4.2.2
WACHSTUMSRATEN 47 4.2.3 ELEKTRISCHE UND OPTISCHE EIGENSCHAFTEN 57
DISKUSSION 61 MECHANISMUS DES METALL-ORGANISCHEN WACHSTUMS VON GAAS 61
THERMISCHE ZERLEGUNG DER AUSGANGSKOMPONENTEN 61 WACHSTUMSRATEN IM
METALL-ORGANISCHEN DEPOSITIONSSYSTEM 65 1 EINFLUSS DES TMG-DRUCKES IM
DURCHFLUSSREAKTOR 65 2 ROLLE DES ASHG-DRUCKES IM DURCHFLUSSREAKTOR 68 3
WIRKUNGSWEISE DER UV-STIMULATION 70 4 ROLLE VON CH 4 BEI MOCVD VON GAAS
72 5 EINFLUSS DER STRAHLDRUCKE IM MOMBE-SYSTEM 74 6 EINFLUSS DER
DEPOSITIONSTEMPERATUR AUF DAS MOMBE-WACHSTUM 77 MODELLIERUNG DES
GAAS-WACHSTUMS IM DURCHFLUSSREAKTOR 78 ELEKTRISCHE UND OPTISCHE
EIGENSCHAFTEN DER MOCVD-SCHICHTEN 83 EINFLUSS DER CH 4 -INJEKTION 83
EINFLUSS VON UV-LICHT 8L ^ EIGNUNG DER MOMBE ALS NEUE WACHSTUMSMETHODE 85
ZUSAMMENFASSUNG 88 ANHANG 90 LITERATURVERZEICHNIS 91
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