Einfluss von Pulsdauer und Wellenlänge auf die Laser-Mikromaterialbearbeitung von Keramiken:
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| Published: |
Göttingen
Cuvillier
2002
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INHALTSVERZEICHNIS
1
EINLEITUNG
UND
ZIELSETZUNG
.
1
2
STAND
DER
TECHNIK
.
4
3
WECHSELWIRKUNG
ZWISCHEN
LASERSTRAHLUNG
UND
MATERIE
.
9
3.1
OPTISCHE
EIGENSCHAFTEN
DER
MATERIE
.
9
3.1.1
STRAHLUNGSAUSBREITUNG
.
9
3.1.2
DIELEKTRIKA
.
11
3.1.3
METALLE
.
15
3.1.4
STREUUNG
UND
MIKROSTRUKTUR
.
17
3.2
PROZESSE
BEI
LASERSTRAHLUNG
GROSSER
INTENSITAET
.
18
3.2.1
ERZEUGUNG
FREIER
LADUNGSTRAEGER
.
18
3.2.2
ABTRAGSCHWELLE
.
22
3.2.3
SELBSTFOKUSSIERUNG
.
26
3.2.4
PLASMAERZEUGUNG.
26
3.2.5
SCHOCK
UND
WAERMEEINFLUSSZONE
.
27
3.2.6
PERIODISCHE
MUSTER
.
28
3.3
WAERMELEITUNG
.
29
4
BESTRAHLUNG
VON
KERAMIKEN
MIT
LASERSTRAHLUNG
.
32
4.1
WERKSTOFFEIGENSCHAFTEN
SIC
UND
SIJN4
.
32
4.2
OPTISCHE
EIGENSCHAFTEN
.
37
4.3
WAERMELEITUNG
.
38
5
MATERIALABTRAG
UND
OBERFLAECHENMODIFIKATION
.
45
5.1
BESTIMMUNG
DER
ABTRAGSCHWELLEN
UND
-RATEN
.
45
5.2
ABTRAGRATEN
FUER
GROSSFLAECHIGE
STRUKTUREN
.
54
5.3
UNTERSUCHUNGEN
ZUR
PLASMAERZEUGUNG
.
58
5.4
RAUHIGKEIT,
MORPHOLOGIE
UND
DEBRIS
.
65
5.5
CHEMISCHE
ZUSAMMENSETZUNG
DER
OBERFLAECHE
.
75
5.6
HAERTE
UND
RISSBILDUNG.
83
6
DREIDIMENSIONALE
MIKROSTRUKTUREN
.
88
7
ZUSAMMENFASSUNG
.
93
8
LITERATURVERZEICHNIS
.
96
9
ANHANG
A:
SPEZIFIKATION
DER
EINGESETZTEN
KERAMIKEN
.
101
9.1.1
SILIZIUMCARBID
.
101
9.1.2
SILIZIUMNITRID
.
101
10
ANHANG
B:
EXPERIMENTELLER
AUFBAU
UND
ANALYTIK
.
104
10.1
POSITIONIERSYSTEM
.
104
10.2
LASERSYSTEME
.
105
10.2.1
NANOSEKUNDEN-LASERSYSTEM
.
105
10.2.2
PIKOSEKUNDEN-LASERSYSTEM
.
105
10.2.3
FEMTOSEKUNDEN-LASERSYSTEM
.
106
10.3
ANALYTIK
.
107
10.3.1
ELEKTRONENSPEKTROSKOPIE
.
107
10.3.2
EDX-MESSUNGEN
.
108
10.3.3
WEISSLICHT-INTERFERENZMIKROSKOPIE
.
109
10.3.4
RAMAN-SPEKTROSKOPIE
.
109
11
ANHANG
C:
TEMPERATURVERTEILUNG
.
110
12
ANHANG
D:
XPS
SPEKTRUM
VON
SIC
.
112
13
ANHANG
E:
RAMAN
SPEKTREN
VON
SIC
UND
SIJN4
.
115
14
ANHANG
F:
REINIGUNG
.
116
15
ANHANG
G:
MATHEMATISCHE
FORMELN
.
117
16
FORMELZEICHEN
UND
ABKUERZUNGEN
.
118
17
ABBILDUNGS
VERZEICHNIS
.
121 |
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