Technologiebeiträge zur Herstellung von Heterostrukturbauelementen aus dem Halbleitersystem InAs-GaSb-AlSb:
Gespeichert in:
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| Sprache: | German |
| Veröffentlicht: |
Aachen
Shaker
1998
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| Ausgabe: | Als Ms. gedr. |
| Schriftenreihe: | Berichte aus der Elektrotechnik
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| Beschreibung: | Zugl.: Darmstadt, Techn. Univ., Diss. |
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