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Hochtemperatur-Positionssensoren auf der Basis eines monolithischen GaAs-Hall-IC von Pettenpaul, Ewald
Veröffentlicht 1984Signatur: Wird geladen …
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2
Herstellung und Untersuchung von hochreinen und dotierten SiC-Kristallen für Halbleiterbauelemente von Pettenpaul, Ewald
Veröffentlicht 1977Signatur: Wird geladen …
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3
Hochtemperatur-Positionssensoren auf der Basis eines monolithischen GaAs-Hall-IC von Pettenpaul, Ewald, Heidenreich, Wolfgang, Huber, Jakob
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4
Integrierte GaAs-Fet-Schaltungen für professionelle Breitbandanwendungen bis ca. 3 GHz von Weidlich, Herbert, Pettenpaul, Ewald, Petz, Felix Anton
Veröffentlicht 1983Signatur: Wird geladen …
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5
Herstellung und Untersuchung von hochreinen und dotierten Sic-Kristallen für Halbleizerbauelemente von Pettenpaul, Ewald
Veröffentlicht 1977Signatur: Wird geladen …
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6
Hochtemperatur-Positionssensoren auf der Basis eines monolithischen GaAs-Hall-IC von Pettenpaul, Ewald, Heidenreich, Wolfgang, Huber, Jakob
Veröffentlicht 1984Signatur: Wird geladen …
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7
Integrierte GaAs-FET-Schaltungen für professionelle Breitbandanwendungen bis circa 3 GHz von Weidlich, Herbert, Pettenpaul, Ewald, Petz, Felix Anton
Veröffentlicht 1983Signatur: Wird geladen …
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Herstellung und Untersuchung von hochreinen und dotierten SiC-Kristallen für Halbleiterbauelemente von Pettenpaul, Ewald
Veröffentlicht 1977Signatur: Wird geladen …
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9
Herstellung und Untersuchung von hochreinen und dotierten SiC- Kristallen für Halbleiterbauelemente von Pettenpaul, Ewald
Veröffentlicht 1977Signatur: Wird geladen …Inhaltsverzeichnis
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