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Untersuchung von SiGe/Si-Heterostrukturen mittels kapazitiver Methoden und Hall-Effekt von Loo, Rogér
Veröffentlicht 1993Signatur: Wird geladen …Inhaltsverzeichnis
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Untersuchung von SiGe-Si-Heterostrukturen mittels kapazitiver Methoden und Hall-Effekt von Loo, Rogér
Veröffentlicht 1993Signatur: Wird geladen …
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Selektives Wachstum von Si und SiGe mittels LPCVD im Hinblick auf vertikale MOSFET-Anwendungen von Loo, Rogér
Veröffentlicht 1996Signatur: Wird geladen …
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