Monolithische GaAs FET- und HBT-Oszillatoren mit verbesserter Transistormodellierung:
Gespeichert in:
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| Format: | Buch |
| Sprache: | German |
| Veröffentlicht: |
Berlin
Ferdinand-Braun-Institut für Höchstfrequentechnik (FBH)
2004
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| Ausgabe: | 1. Aufl. |
| Schriftenreihe: | Innovationen mit Mikrowellen und Licht
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| Online-Zugang: | Inhaltsverzeichnis |
| Beschreibung: | Zugl.: Berlin, Techn. Univ., Diss., 2004 |
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|---|---|
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Inhaltsverzeichnis
Danksagung II
Kurzfassung III
Abstract III
Kapitel 1 Einleitung 1
Kapitel 2 Transistormodellierung 6
2 1 Kleinsignalmodellierung 6
2 2 Ex- und intrinsische Elemente 7
2 3 Deembedding parasitärer Elemente 10
2 4 Großsignalmodellierung 12
Kapitel 3 FET-Extraktion und Modellierung 16
3 1 Bestimmung der äußeren Elemente 16
311 Bestimmung der Kapazitäten 16
312 Bestimmung der Induktivitäten und Widerstände 18
3 2 Bestimmung der inneren Elemente 22
Kapitel 4 HBT-Extraktion und Modellierung 25
4 1 Bestimmung der äußeren Elemente 27
411 Bestimmung der Kapazitäten 27
412 Bestimmung der Induktivitäten und Widerstände 29
4 2 Bestimmung der inneren Elemente 32
421 Analytische Lösung mit Kettenparametern 33
422 Analytische Lösung mit Admittanzparametern 34
423 Praktikable Lösung 35
424 Verifikation 37
425 Messfehler in der analytischen Lösung 39
4 3 1/f Rauschmodellierung 44
431 Ersatzschaltbild und Berechnung 45
432 Vereinfachung 49
433 Relevante Quellen 50
434 Ergebnisse 53
435 Skalierung 55
4 4 Großsignalmodell 57
Kapitel 5 MMIC-Oszillatoren 59
5 1 Oszillatoranalyse 63
511 Schematischer Aufbau 63
512 Resonatoren 68
V
513 Kurokawa-Kriterium 75
514 Gleich- und Gegentaktoszillatoren 77
(515 Großsignalanalyse 81
5 2 Anwendungen 85
jji 521 Belastete Güte von Reflexionsoszillatoren 85
II f Kapitel 6 Schaltungen 94
I61 23 GHz VCO in MESFET-Technologie 94
6 2 Ka-Band-Oszillatoren in HBT-Technologie 96
621 Schaltungsaufbau 97
622 Nachsimulation des aktiven Teils 99
623 Messung der Resonatoren 100
624 Simulation der Schleifenverstärkung 102
625 Vergleich mit den Messwerten 105
626 Ka-Band VCO 106
6 3 76 GHz „push-push“-VCO in HBT-Technologie 107
631 Schaltung und Simulation 108
632 Ergebnisse 111
6 4 Zusammenfassung 113
Kapitel 7 Zusammenfassung und Ausblick 114
Anhang A Gleichungen und Rechenwege 117
A l Reduzierte physikalische Gleichungen 117
All Dioden-Stromgleichung 117
Al2 Dioden-Kapazitätsgleichung 117
A 2 Funktionalapproximationen 118
A21 Bestimmung der extrinsischen Widerstände beim FET 118
A22 Extrinsische Kapazitäten beim HBT 119
A23 Bestimmung von ao und ua beim HBT 120
A 3 Sonstiges 121
A31 Analytische Gleichung für R ,2 121
A32 Berechnung der Phasensteilheit 121
A33 Anwendung der Gleich- und Gegentakttheorie 122
A34 Datenglättung 123
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