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    Removing the orientational degeneracy of the TS defect in 4H–SiC by electric fields and strain

    Removing the orientational degeneracy of the TS defect in 4H–SiC by electric fields and strain von Rühl, Maximilian, Lehmeyer, Johannes, Nagy, Roland, Weisser, Matthias, Bockstedte, Michel, Krieger, Michael, Weber, Heiko B.

    Veröffentlicht 2021
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    An adapted method for analyzing 4H silicon carbide metal-oxide-semiconductor field-effect transistors

    An adapted method for analyzing 4H silicon carbide metal-oxide-semiconductor field-effect transistors von Hauck, Martin, Lehmeyer, Johannes, Pobegen, Gregor, Weber, Heiko B., Krieger, Michael

    Veröffentlicht 2019
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    Evaluation of 4H‐SiC MOSFET transfer characteristics using machine‐learning techniques

    Evaluation of 4H‐SiC MOSFET transfer characteristics using machine‐learning techniques von Lehmeyer, Johannes A. F., Citak, Timon, Weber, Heiko B., Krieger, Michael

    Veröffentlicht 2023
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