Einfluss der Silizium-Diffusion auf die Defektbildung in Galliumarsenid:
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| Format: | Buch |
| Sprache: | German |
| Veröffentlicht: |
1995
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| Beschreibung: | Halle, Univ., Diss., 1995 |
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INHALTSVERZEICHNIS
1 EINLEITUNG I
1.1 ALLGEMEINES ZUR DIFFUSION
3
1
.
2.1
ABHAENGIGKEIT DER SI-DIFFUSION VOM ARSENDAMPFDRUCK
6
1.2.2 SI-DIFFUSION: MODELLE
6
1.3 DEFEKTBILDUNG BEI DER SI-DIFFUSION. ZIEL DER ARBEIT
9
2 EXPERIMENTELLE METHODEN 12
2.1
AUSGANGSMATERIAL UND DIFFUSIONSEXPERIMENTE
12
2.2
CHARAKTERISIERUNG DER SI-DIFFUSIONSPROFILE DURCH SEKUNDAERIONEN-
MASSENSPEKTROMETRIE (SIMS)
14
2.3 ERMITTLUNG VON KONZENTRATIONSPROFILEN MIT HILFE DER SPREADING-
RESISTANCE-TECHNIK (SRT)
16
2.4 PROBENPRAEPARATION FUER DIE TRANSMISSIONSELEKTRONENMIKROSKOPIE
(TEM)
20
2.5.1 PLANARE PRAEPARATION
20
2.5.2 QUERSCHNITTSPRAEPARATION 21
2.5 METHODEN DER TRANSMISSIONSELEKTRONENMIKROSKOPIE (TEM)
22
2.5.1 METHODE DER BEUGUNGSKONTRASTABBILDUNG IM TEM 22
2.5.2 KONTRAST DURCH KRISTALLBAUFEHLER: STAPELFEHLER- UND
VERSETZUNGSRING-ANALYSE IM TEM 22
2.5.4 ENERGIEDISPERSIVE ROENTGENANALYSE (EDS) 26
2.5.5 ELEKTRONENENERGIEVERLUSTSPEKTROSKOPIE (EELS) 26
2.6 KATHODOLUMINESZENZ (KL) 26
II
BIBLIOGRAFISCHE INFORMATIONEN
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3 EXPERIMENTELLE RESULTATE
30
3.1 EINDIFFUSION VON SILIZIUM IN GALLIUMARSENID 30
3.1.1 SIMS- UND SRT-KONZENTRATIONSPROFILE 30
3.1.2 KONZENTRATIONSPROFILE BEI VERSCHIEDENEN DIFFUSIONS-
BEDINGUNGEN 31
3.2 TEM-UNTERSUCHUNGEN DER DEFEKTSTRUKTUR IN DEN DIFFUSIONS
BEREICHEN 35
3.2.1 TEM-UNTERSUCHUNGEN DER MIKROSTRUKTUR IM DIFFUSIONSBE
REICH NACH DER EINDIFFUSION VON SILIZIUM IN GALLIUMARSENID
BEI 900C INNERHALB VON 5 STUNDEN (1-SCHRITT-TEMPERUNG) 36
3.2.2 MIKROSTRUKTURELLE CHARAKTERISIERUNG DES DIFFUSIONSBE
REICHES NACH DER SI-EINDIFFUSION UND ZWEITER TEMPERUNG
BEI 700C FUER 15 MINUTEN (2-SCHRITT-TEMPERUNG) 38
3.2.3 TEM-UNTERSUCHUNGEN DER DEFEKTSTRUKTUR VON DIFFUSIONS
ZONEN NACH DREI TEMPERSCHRITTEN 49
3.2.4 TEM- UND AEM-UNTERSUCHUNGEN DER STRUKTUR DES POLY
KRISTALLINEN SILIZIUM-FILMS AUF GAAS-SUBSTRAT 50
3.2.5 HREM-UNTERSUCHUNGEN DER STRUKTUR DER POLY-SI/GAAS-
GRENZFLAECHE 55
3.3 KATHODOLUMINESZENZ-UNTERSUCHUNGEN IM DIFFUSIONSBEREICH 56
3.3.1 SPEKTRAL AUFGELOESTE KL 55
3.3.2 PANCHROMATISCHE UND MONOCHROMATISCHE KL-AUFNAHMEN
DES DIFFUSIONSBEREICHES 63
4 DISKUSSION
66
4.1 SI-KONZENTRATIONSPROFILE 66
4.1.1 VERGLEICH DER MESSMETHODEN 66
4.1.2 EINFLUSS DER SUBSTRATVORDOTIERUNG
69
4.1.3 EINFLUSS
DES ARSENDAMPFDRUCKES
70
4.2 DEFEKTSTRUKTUR IN DEN DIFFUSIONSBEREICHEN 72
4.2.1 DEFEKTBILDUNG NACH DER EINDIFFUSION VON SILIZIUM IN
GALLIUMARSENID 72
4.2.2 DEFEKTBILDUNG NACH DER NACHTEMPERUNG BEI 700C
FUER 15 MINUTEN 74
III
4.2.3 ABHAENGIGKEIT DES DEFEKTSPEKTRUMS VOM ARSENDAMPFDRUCK 77
4.2.4 DEFEKTAUFLOESUNG NACH DEM DRITTEN TEMPERSCHRITT BEI
1000C
FUER 15 UND 30 MINUTEN 79
4.2.5 DEFEKTBILDUNG IN TE- UND ZN-DOTIERTEM GAAS 80
4.2.6 STRUKTUR DER POLY-SI/GAAS-GRENZFLAECHE 81
4.3 PUNKTDEFEKTE UND PUNKTDEFEKTKOMPLEXE IM DIFFUSIONSBEREICH 81
ZUSAMMENFASSUNG ^
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