Herstellung und Charakterisierung von dotierten Siliziumkarbidpulvern für hochohmige Sinterkeramiken:
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| Format: | Buch |
| Sprache: | German |
| Veröffentlicht: |
Aachen
Shaker
2000
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| Beschreibung: | Zugl.: Erlangen-Nürnberg, Univ., Diss., 2000 |
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INHALT
1.
DARSTELLUNG
DES
FORSCHUNGSVORHABENS
1.1
UEBERBLICK
UEBER
KERAMISCHE
SUBSTRATMATERIALIEN
IN
DER
ELEKTRONIK
1
1.2
ZIELE
UND
AUFGABEN
DES
PROJEKTS
3
1.3
AUFBAU
DIESER
ARBEIT
5
2.
CHEMISCHE
UND
PHYSIKALISCHE
EIGENSCHAFTEN
VON
SIC
3.
SEMIISOLIERENDES
SIC
2.1
2.2
2.3
2.4
GRUNDLAGEN
DES
STOFFSYSTEMS
SI/C
7
KRISTALLOGRAPHISCHE
EIGENSCHAFTEN
POLYTYPISMUS
11
SIC
ALS
HALBLEITER
15
TECHNISCHE
DARSTELLUNG
VON
SIC
18
3.1
3.1.1
3.1.2
PUNKTDEFEKTE
IN
SIC
21
INTRINSISCHE
PUNKTDEFEKTE
21
FREMDATOME
DER
HAUPTGRUPPE
V
26
3.1.3
FREMDATOME
DER
HAUPTGRUPPE
III
29
3.1.4
FREMDATOME
DER HAUPTGRUPPEN
II
UND
VI
32
3.1.5
UEBERGANGSMETALLE
UND
SELTENE
ERDEN
34
3.1.6
ZUSAMMENFASSUNG
38
3.2
KOMPENSATION
IN
SEMIISOLIERENDEM
SIC
39
3.2.1
QUALITATIVE
STOERSTELLENBILANZ
39
3.2.2
3.2.3
LADUNGSNEUTRALITAETSBEDINGUNG
IN
SEMIISOLIERENDEM
SIC
40
LADUNGSTRAEGERKONZENTRATION
IN
SEMIISOLIERENDEM
SIC
43
3.3
ZUSAMMENFASSUNG
47
I
NHALTSVERZEICHNIS
N
4.
OPTISCHE
UNTERSUCHUNGEN
ZU
ELEKTRONISCHEN
STOERSTELLEN
IN
SIC
4.1
GRUNDLAGEN
DER
THERMISCH
STIMULIERTEN
LUMINESZENZ
(TSL)
49
4.1.1
MOTIVATION
UND
ANWENDUNGSGEBIETE
49
4.1.2
DAS
HALPERIN-BRANER-MODELL
51
4.1.3
AUSWERTUNG
VON
TSL-KURVEN
54
4.2
BERECHNUNG
VON
HAFTSTELLENENTLADEVORGAENGEN
55
4.2.1
EINFLUSS
DER
HAFTSTELLENPARAMETER
56
4.2.2
KINETIK
HOEHERER
ORDNUNG
58
4.2.3
DISKUSSION
60
4.3
EXPERIMENTELLER
AUFBAU
61
4.4
ERGEBNISSE
ZU
TSL-UNTERSUCHUNGEN
63
4.4.1
UNTERSUCHUNGEN
ZU
HAFTSTELLENENTLADEVORGAENGEN
AN
KRISTALLEN
BEKANNTEN
LEITUNGSTYPS
63
4.4.2
TSL-REKOMBINATIONSMECHANISMEN
66
4.4.3
TSL
NACH
ANREGUNG
UNTERHALB
DER
BANDLUECKE
67
4.5
DISKUSSION
69
I
NHALTSVERZEICHNIS
IN
5.
HERSTELLUNG
VON
DOTIERTEN
SIC-PULVERN
5.1
ANFORDERUNGSPROFIL
VON
SINTERAKTIVEN
SIC-PULVEM
71
5.2
HERSTELLUNG
VON
SIC-PULVEM
DURCH
REAKTION
AUS
DEN
ELEMENTEN
72
5.2.1
MODELL
DES
SILIZIUM-KOHLENSTOFF-REAKTIONSPROZESSES
72
5.2.2
BESCHREIBUNG
DES
SYNTHESEVERFAHRENS
76
5.2.3
UNTERSUCHUNGEN
ZUM
EINFLUSS
DER
PROZESSPARAMETER
79
5.2.4
PULVERAUFBEREITUNG
UND
SINTERVERHALTEN
86
5.2.5
DISKUSSION
88
5.3
DOTIERUNG
VON SIC-PULVEM
89
5.3.1
UEBERSICHT
UEBER
ALLGEMEINE
KONZEPTE
89
5.3.2
UNTERSUCHUNGEN
ZUR
EINDIFFUSION
VON
VANADIUM
90
5.3.3
REAKTIONSSYNTHESE
IM
SYSTEM
SI/C
93
5.3.3.1
MODIFIKATION
DES
AUSHEIZVORGANGS
94
5.3.3.2
DOTIERSTOFFEINBAU
SIC:B
95
5.3.3.3
DOTIERSTOFFEINBAU SIC:V
97
5.3.4
DISKUSSION
99
5.4
ALTERNATIVE
KOHLENSTOFFQUELLEN
100
5.4.1
THERMISCHE
EXPANSION
VON
INTERKALIERTEM
GRAPHIT
100
5.4.2
INFILTRATION
MIT
SILIZIUM
104
5.4.3
BEWERTUNG
DES
KONZEPTS
111
5.5
DISKUSSION
112
INHALTSVERZEICHNIS
IV
6.
ELEKTRISCHE
CHARAKTERISIERUNG
VON
DOTIERTEN
SIC-KERAMIKEN
6.1
ELEKTRISCHES
VERHALTEN
VON
SIC-KERAMIKEN
114
6.1.1
SIC-KERAMIKEN
ALS
EFFEKTIVES
MEDIUM
114
6.1.2
IMPEDANZSPEKROSKOPIE
ALS
UNTERSUCHUNGSVERFAHREN
ZUR
CHARAKTERISIERUNG
EFFEKTIVER
MEDIEN
117
6.2
UNTERSUCHUNGEN
AN
DOTIERTEN
KERAMIKEN
120
6.2.1
BETRACHTUNG
DES
KOMGEFUEGES
DER
UNTERSUCHTEN
PROBEN
120
6.2.2
EINFLUSS
DES
BOR-GEHALTES
123
6.2.3
EINFLUSS
EINER
BOR-VANADIUM-KODOTIERUNG
127
6.2.4
GEFUEGEEINFLUESSE
131
6.3
DISKUSSION
133
7.
ZUSAMMENFASSUNG
UND
AUSBLICK
135
LITERATUR
DANKSAGUNG
LEBENSLAUF
137
151
153 |
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