Treffer 1 – 4 von 4 für Suche 'Hahn, Peter Otto', Suchdauer: 0,06s Treffer filtern
Es werden neben Medien der THWS auch Medien von anderen bayerischen Bibliotheken angezeigt.
Diese sind über das Label „Fernleihe“ gekennzeichnet und können mit einem Klick darauf bestellt werden.
  1. 1
    Untersuchung der atomaren Rauhigkeit der Si-SiO2-Grenzfläche sowie ihr Einfluß auf die Beweglichkeit in MOS-Transistoren

    Untersuchung der atomaren Rauhigkeit der Si-SiO2-Grenzfläche sowie ihr Einfluß auf die Beweglichkeit in MOS-Transistoren von Hahn, Peter Otto

    Veröffentlicht 1982
    Buch Fernleihe Bestellen


    Gespeichert in:
  2. 2
    Untersuchung der atomaren Rauhigkeit der Si-SiO(2) Grenzfläche sowie ihr Einfluß auf die Beweglichkeit in MOS-Transistoren

    Untersuchung der atomaren Rauhigkeit der Si-SiO(2) Grenzfläche sowie ihr Einfluß auf die Beweglichkeit in MOS-Transistoren von Hahn, Peter Otto

    Veröffentlicht 1982
    Buch Fernleihe Bestellen


    Gespeichert in:
  3. 3
    Untersuchung der atomaren Rauhigkeit der Si-SiO2-Grenzfläche sowie ihr Einfluß auf die Beweglichkeit in MOS-Transistoren

    Untersuchung der atomaren Rauhigkeit der Si-SiO2-Grenzfläche sowie ihr Einfluß auf die Beweglichkeit in MOS-Transistoren von Hahn, Peter Otto

    Veröffentlicht 1982
    Abschlussarbeit Buch Fernleihe Bestellen


    Gespeichert in:
  4. 4
    Untersuchung der atomaren Rauhigkeit der Si-Si02 Grenzfläche sowie ihr Einfluß auf die Beweglichkeit in MOS-Transistoren

    Untersuchung der atomaren Rauhigkeit der Si-Si02 Grenzfläche sowie ihr Einfluß auf die Beweglichkeit in MOS-Transistoren von Hahn, Peter Otto

    Veröffentlicht 1982
    Buch Fernleihe Bestellen


    Gespeichert in:

Suchwerkzeuge: