HF-Leistungsverstärker in modernen Silizium- und Verbindungshalbleiter-Technologien:
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Veröffentlicht: |
Göttingen
Cuvillier
2012
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INHALTSVERZEICHNIS
1 EINLEITUNG 1
2 LEISTUNGSVERSTAERKER 5
2.1 EIGENSCHAFTEN UND KENNGROESSEN 5
2.1.1 AUSGANGSLEISTUNG UND VERSTAERKUNG 5
2.1.2 WIRKUNGSGRAD 9
2.1.3 LINEARITAET 11
2.1.4 KENNGROESSEN IN VERBINDUNG MIT MODULIERTEN SIGNALEN 20
2.1.5 LASTIMPEDANZ 25
2.1.6 STABILITAET 31
2.2 VERSTAERKERKLASSEN 33
2.2.1 KLASSEN BASIEREND AUF TRANSISTORARBEITSPUNKT 34
2.2.2 KLASSEN BASIEREND AUF TRANSISTORBETRIEB 38
2.3 TECHNIKEN ZUR STEIGERUNG DES WIRKUNGSGRADES 47
2.3.1 ENVELOPE TRACKING 47
2.3.2 ENVELOPE ELEMINATION/RESTORATION 48
2.3.3 OUTPHASING-VERSTAERKER 49
2.3.4 DOHERTY-VERSTAERKER 51
3 TRANSISTOREN FUER HF-LEISTUNGSVERSTAERKER 57
3.1 WICHTIGE DEFINITIONEN 57
3.1.1 GRENZFREQUENZEN 57
3.1.2 TRANSISTORGROESSE 59
3.1.3 LEISTUNGSDICHTE 60
3.2 HALBLEITERMATERIALIEN 60
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3.3 TRANSISTORTECHNOLOGIEN 62
3.3.1 SIGE-HBT 66
3.3.2 SI-LDMOS-FET 68
3.3.3 GAN-HEMT 70
3.4 STATUS UND TREND . . 72
4 INTEGRIERTER SIGE-HBT-PA FUER 6-GHZ-APPLIKATIONEN 79
4.1 TOPOLOGIE 80
4.2 LEISTUNGSTRANSISTOREN 81
4.2.1 TECHNOLOGIE 81
4.2.2 SKALIERUNG DER TRANSISTOREN 83
4.3 VERSTAERKERENTWURF 85
4.3.1 LOAD/SOURCE-PULL-SIMULATIONEN 86
4.3.2 TRANSFORMATOREN UND ANPASSNETZWERKE 89
4.3.3 REALISIERUNG 96
4.4 ERGEBNISSE 99
4.4.1 EINTON-ANREGUNG 99
4.4.2 ZWEITON-ANREGUNG 103
4.4.3 KLEINSIGNALMESSUNGEN 106
4.5 SCHLUSSFOLGERUNGEN 106
5 INTEGRIERTER 6-GHZ-SIGE-PA MIT TRANSFORMER-COMBINING . 109
5.1 TOPOLOGIE 110
5.2 LEISTUNGSTRANSISTOREN 112
5.3 VERSTAERKERENTWURF 114
5.3.1 LOAD/SOURCE-PULL-SIMULATIONEN 115
5.3.2 TRANSFORMATOREN UND ANPASSNETZWERKE 118
5.3.3 REALISIERUNG 123
5.4 ERGEBNISSE 127
5.4.1 EINTON-ANREGUNG 127
5.4.2 ZWEITON-ANREGUNG 131
5.4.3 KLEINSIGNALMESSUNGEN 133
5.5 SCHLUSSFOLGERUNGEN UND STAND DER TECHNIK 134
6 MEDIUM-VOLTAGE-LDMOS-LEISTUNGSVERSTAERKER 137
6.1 LEISTUNGSTRANSISTOR-GENERATION 1 138
6.1.1 ENTWURF DER LEISTUNGSTRANSISTOREN 138
6.1.2 CHARAKTERISIERUNG DER TRANSISTOREN 142
6.1.3 VERIFIKATION MIT HILFE EINES 6-GHZ-LEISTUNGSVERSTAERKERS . 146
6.2 LEISTUNGSTRANSISTOR-GENERATION 2 152
6.2.1 ENTWURF DER LEISTUNGSTRANSISTOREN 152
6.2.2 KLEINSIGNAL-CHARAKTERISIERUNG 156
6.2.3 SOURCE/LOAD-PULL-CHARAKTERISIERUNG 160
6.2.4 LEISTUNGSVERSTAERKERENTWURF UND ERGEBNISSE 166
6.3 SCHLUSSFOLGERUNGEN UND STAND DER TECHNIK 180
7 GAN-HEMT-DOHERTY-LEISTUNGSVERSTAERKER 183
7.1 LOAD-PULL-ANALYSE 184
7.1.1 GRUNDWELLENIMPEDANZ 185
7.1.2 HARMONISCHEN-TERMINIERUNG 189
7.2 DOHERTY-LEISTUNGSVERSTAERKER 194
7.2.1 ENTWURF 195
7.2.2 REALISIERUNG 199
7.3 ERGEBNISSE 200
7.3.1 EINTON-ANREGUNG 200
7.3.2 BEAUFSCHLAGUNG MIT MODULIERTEN SIGNALEN 202
7.4 SCHLUSSFOLGERUNGEN UND STAND DER TECHNIK 205
8 ZUSAMMENFASSUNG 207
A ZUSAMMENHANG ZWISCHEN IP3 UND 1-DB-KOMPRESSIONSPUNKT 211
B TABELLEN ZUM STAND DER TECHNIK 213
C PUBLIKATIONSLISTE 217
LITERATURVERZEICHNIS 221
III |
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