Zur chemischen und elektronischen Struktur von Heteroübergängen zwischen Ge und den III-V-Halbleitern GaP, GaAs und GaSb:
Gespeichert in:
Bibliographische Detailangaben
1. Verfasser: Gant, Horst (VerfasserIn)
Format: Abschlussarbeit Buch
Sprache:German
Veröffentlicht: 1983
Schlagworte:
Beschreibung:288 S. Ill., graph. Darst.

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