Untersuchung des tiefenaufgelösten Strahlenschadenprofils in Silizium nach lonenimplantation mit Hilfe der MOS-Struktur:
Gespeichert in:
| 1. Verfasser: | |
|---|---|
| Format: | Buch |
| Sprache: | Undetermined |
| Veröffentlicht: |
1980
|
| Schlagworte: |
Internformat
MARC
| LEADER | 00000nam a2200000zc 4500 | ||
|---|---|---|---|
| 001 | BV018962052 | ||
| 003 | DE-604 | ||
| 005 | 00000000000000.0 | ||
| 007 | t | ||
| 008 | 040419s1980 |||| 00||| und d | ||
| 035 | |a (OCoLC)163671717 | ||
| 035 | |a (DE-599)BVBBV018962052 | ||
| 040 | |a DE-604 |b ger | ||
| 041 | |a und | ||
| 049 | |a DE-12 | ||
| 100 | 1 | |a Ferretti, Ruediger |e Verfasser |4 aut | |
| 245 | 1 | 0 | |a Untersuchung des tiefenaufgelösten Strahlenschadenprofils in Silizium nach lonenimplantation mit Hilfe der MOS-Struktur |
| 264 | 1 | |c 1980 | |
| 336 | |b txt |2 rdacontent | ||
| 337 | |b n |2 rdamedia | ||
| 338 | |b nc |2 rdacarrier | ||
| 505 | 0 | |a 1980. 125 S. 8<br>Berlin, Techn. Univ., Fachbereich 19 - Elektrotechnik, Diss. | |
| 650 | 7 | |a Ionenimplantation |2 swd | |
| 650 | 7 | |a Silicium |2 swd | |
| 650 | 7 | |a Strahlenschaden |2 swd | |
| 999 | |a oai:aleph.bib-bvb.de:BVB01-011732782 | ||
| 980 | 4 | |a (DE-12)AK06760515 | |
Datensatz im Suchindex
| _version_ | 1804131554118598656 |
|---|---|
| any_adam_object | |
| author | Ferretti, Ruediger |
| author_facet | Ferretti, Ruediger |
| author_role | aut |
| author_sort | Ferretti, Ruediger |
| author_variant | r f rf |
| building | Verbundindex |
| bvnumber | BV018962052 |
| contents | 1980. 125 S. 8<br>Berlin, Techn. Univ., Fachbereich 19 - Elektrotechnik, Diss. |
| ctrlnum | (OCoLC)163671717 (DE-599)BVBBV018962052 |
| format | Book |
| fullrecord | <?xml version="1.0" encoding="UTF-8"?><collection xmlns="http://www.loc.gov/MARC21/slim"><record><leader>00895nam a2200289zc 4500</leader><controlfield tag="001">BV018962052</controlfield><controlfield tag="003">DE-604</controlfield><controlfield tag="005">00000000000000.0</controlfield><controlfield tag="007">t</controlfield><controlfield tag="008">040419s1980 |||| 00||| und d</controlfield><datafield tag="035" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">(OCoLC)163671717</subfield></datafield><datafield tag="035" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">(DE-599)BVBBV018962052</subfield></datafield><datafield tag="040" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">DE-604</subfield><subfield code="b">ger</subfield></datafield><datafield tag="041" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">und</subfield></datafield><datafield tag="049" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">DE-12</subfield></datafield><datafield tag="100" ind1="1" ind2=" "><subfield code="a">Ferretti, Ruediger</subfield><subfield code="e">Verfasser</subfield><subfield code="4">aut</subfield></datafield><datafield tag="245" ind1="1" ind2="0"><subfield code="a">Untersuchung des tiefenaufgelösten Strahlenschadenprofils in Silizium nach lonenimplantation mit Hilfe der MOS-Struktur</subfield></datafield><datafield tag="264" ind1=" " ind2="1"><subfield code="c">1980</subfield></datafield><datafield tag="336" ind1=" " ind2=" "><subfield code="b">txt</subfield><subfield code="2">rdacontent</subfield></datafield><datafield tag="337" ind1=" " ind2=" "><subfield code="b">n</subfield><subfield code="2">rdamedia</subfield></datafield><datafield tag="338" ind1=" " ind2=" "><subfield code="b">nc</subfield><subfield code="2">rdacarrier</subfield></datafield><datafield tag="505" ind1="0" ind2=" "><subfield code="a">1980. 125 S. 8<br>Berlin, Techn. Univ., Fachbereich 19 - Elektrotechnik, Diss.</subfield></datafield><datafield tag="650" ind1=" " ind2="7"><subfield code="a">Ionenimplantation</subfield><subfield code="2">swd</subfield></datafield><datafield tag="650" ind1=" " ind2="7"><subfield code="a">Silicium</subfield><subfield code="2">swd</subfield></datafield><datafield tag="650" ind1=" " ind2="7"><subfield code="a">Strahlenschaden</subfield><subfield code="2">swd</subfield></datafield><datafield tag="999" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">oai:aleph.bib-bvb.de:BVB01-011732782</subfield></datafield><datafield tag="980" ind1="4" ind2=" "><subfield code="a">(DE-12)AK06760515</subfield></datafield></record></collection> |
| id | DE-604.BV018962052 |
| illustrated | Not Illustrated |
| indexdate | 2024-07-09T19:38:46Z |
| institution | BVB |
| language | Undetermined |
| oai_aleph_id | oai:aleph.bib-bvb.de:BVB01-011732782 |
| oclc_num | 163671717 |
| open_access_boolean | |
| owner | DE-12 |
| owner_facet | DE-12 |
| publishDate | 1980 |
| publishDateSearch | 1980 |
| publishDateSort | 1980 |
| record_format | marc |
| spelling | Ferretti, Ruediger Verfasser aut Untersuchung des tiefenaufgelösten Strahlenschadenprofils in Silizium nach lonenimplantation mit Hilfe der MOS-Struktur 1980 txt rdacontent n rdamedia nc rdacarrier 1980. 125 S. 8<br>Berlin, Techn. Univ., Fachbereich 19 - Elektrotechnik, Diss. Ionenimplantation swd Silicium swd Strahlenschaden swd |
| spellingShingle | Ferretti, Ruediger Untersuchung des tiefenaufgelösten Strahlenschadenprofils in Silizium nach lonenimplantation mit Hilfe der MOS-Struktur 1980. 125 S. 8<br>Berlin, Techn. Univ., Fachbereich 19 - Elektrotechnik, Diss. Ionenimplantation swd Silicium swd Strahlenschaden swd |
| title | Untersuchung des tiefenaufgelösten Strahlenschadenprofils in Silizium nach lonenimplantation mit Hilfe der MOS-Struktur |
| title_auth | Untersuchung des tiefenaufgelösten Strahlenschadenprofils in Silizium nach lonenimplantation mit Hilfe der MOS-Struktur |
| title_exact_search | Untersuchung des tiefenaufgelösten Strahlenschadenprofils in Silizium nach lonenimplantation mit Hilfe der MOS-Struktur |
| title_full | Untersuchung des tiefenaufgelösten Strahlenschadenprofils in Silizium nach lonenimplantation mit Hilfe der MOS-Struktur |
| title_fullStr | Untersuchung des tiefenaufgelösten Strahlenschadenprofils in Silizium nach lonenimplantation mit Hilfe der MOS-Struktur |
| title_full_unstemmed | Untersuchung des tiefenaufgelösten Strahlenschadenprofils in Silizium nach lonenimplantation mit Hilfe der MOS-Struktur |
| title_short | Untersuchung des tiefenaufgelösten Strahlenschadenprofils in Silizium nach lonenimplantation mit Hilfe der MOS-Struktur |
| title_sort | untersuchung des tiefenaufgelosten strahlenschadenprofils in silizium nach lonenimplantation mit hilfe der mos struktur |
| topic | Ionenimplantation swd Silicium swd Strahlenschaden swd |
| topic_facet | Ionenimplantation Silicium Strahlenschaden |
| work_keys_str_mv | AT ferrettiruediger untersuchungdestiefenaufgelostenstrahlenschadenprofilsinsiliziumnachlonenimplantationmithilfedermosstruktur |