AlGaN-GaN-HEMTs für HF-Leistungsanwendungen:
Gespeichert in:
| 1. Verfasser: | |
|---|---|
| Format: | Abschlussarbeit Buch |
| Sprache: | German |
| Veröffentlicht: |
Aachen
Shaker
2002
|
| Schriftenreihe: | Berichte aus der Halbleitertechnik
|
| Schlagworte: | |
| Online-Zugang: | Inhaltsverzeichnis |
| Beschreibung: | IV, 200 S. Ill., graph. Darst. |
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INHALTSVERZEICHNIS
1
EINLEITUNG
1
2
GRUPPE-HI-NITRIDE
5
2.1
VOLUMENMATERIAL
.
6
2.1.1
MATERIALEIGENSCHAFTEN
.
6
2.1.1.1
KRISTALLSTRUKTUR
.
6
2.1.1.2
ELEKTRISCHE
EIGENSCHAFTEN
.
7
2.1.2
SCHICHTHERSTELLUNG
.
8
2.1.2.1
EPITAXIE
.
'
.
8
2.1.2.2
DAS
GEEIGNETE
SUBSTRAT'
.
.
9
2.1.3
KRISTALLFEHLER
.
11
2.2
HETEROSTRUKTUREN
.
12
2.2.1
ENTSTEHUNG
DES
2DEGS
.
12
2.2.2
2D-LADUNGSTRAEGERDICHTE
.
13
2.2.2.1
BESTIMMUNG
DER
SCHICHTLADUNGSTRAEGERDICHTE
.
13
2.2.2.2
EINFLUSS
DER
POLARISATION
.
15
2.2.2.3
SCHICHTLADUNG
IN
PIEZO-HEMTS
.
18
2.2.3
2D-TRANSPORTEIGENSCHAFTEN
.
20
2.2.3.1
HALLBEWEGLICHKEIT
.
21
2.2.3.2
MAGNETOWIDERSTAND
UND
QUANTENHALLEFFEKT
.
25
3
ALGAN/GAN-LEISTUNGS-HEMTS
29
3.1
GRUNDGLEICHUNGEN
DES
HEMTS
.
30
3.1.1
INTRINSISCHER
FET
.
30
3.1.2
EXTRINSISCHER
FET
.
33
3.2
ATZPROZESSE
.
35
3.2.1
MESAAETZUNG
.
36
3.2.2
KONTAKTLOCHAETZUNG
.
38
3.3
KONTAKTE
.
39
3.3.1
OHMSCHE
KONTAKTE
.
40
3.3.1.1
VERGLEICH
VERSCHIEDENER
METALLISIERUNGEN
.
40
3.3.1.2
ERMITTLUNG
DER
OPTIMALEN
LEGIERTEMPERATUR
.
42
3.3.1.3
ABSENKEN
DER
OHMSCHEN
KONTAKTE
.
43
3.3.2
SCHOTTKYKONTAKTE
.
44
3.3.2.1
TYPISCHE
DIODENKENNLINIEN
.
44
3.3.2.2
TEMPERATUREINFLUESSE
UND
BARRIERENHOEHE
.
46
3.3.2.3
GROESSEN
UND
PROBENVERGLEICHE
.
48
3.4
CHARAKTERISIERUNG
AUSGEWAEHLTER
TRANSISTOREN
.
50
II
INHALTSVERZEICHNIS
3.4.1
GLEICHSTROMCHARAKTERISIERUNG
.
50
3.4.2
KLEINSIGNALMESSUNGEN
.
53
3.4.2.1
KLEINSIGNALERSATZSCHALTBILD
.
53
3.4.2.2
PRINZIP
DER
S-PARAMETERMESSUNG
.
55
3.4.2.3
MESSERGEBNISSE
.
57
3.4.3
LEISTUNGSMESSUNGEN
.
60
4
OPTIMIERUNG
DER
BASISZELLE
65
4.1
SPANNUNGSFESTIGKEIT
.
67
4.1.1
KURZKANALEFFEKTE
.
67
4.1.2
DURCHBRUCHSMECHANISMEN
.
69
4.1.2.1
TUNNELMODELL
.
69
4.1.2.2
LAWINENMODELL
.
72
4.1.2.3
OBERFLAECHENUEBERSCHLAEGE
.
75
4.1.3
FELDVERTEILUNG
IM
KANAL
.
75
4.1.3.1
DEFINITION
DER
DURCHBRUCHSSPANNUNG
.
75
4.1.3.2
VERSAGEN
DES
RAUMLADUNGSMODELLS
.
77
4.1.3.3
EINFLUSS
DER
POLARISATIONSLADUNGEN
.
79
4.1.4
DURCHBRUCHSSPANNUNGS-FAUSTREGEL
.
82
4.1.5
LAWINENGENERATION
IM
KANAL
.
83
4.2
WAERMEABFUHR
.
86
4.2.1
STROMRUECKGANG
DURCH
ERWAERMUNG
.
87
4.2.2
THERMISCHE
WIDERSTAENDE
DER
BAUELEMENTE
.
88
4.2.3
SIMULATIONSERGEBNISSE
.
91
4.2.4
EINFLUSS
AUF
DIE
HF-LEISTUNG
.
93
4.2.5
DEGRADATION
.
94
4.3
TYANSIENTES
VERHALTEN
.
97
4.3.1
LANGZEITEFFEKTE
.
97
4.3.1.1
PATHOLOGISCHE
KENNLINIEN
.
97
4.3.1.2
SPANNUNGSABHAENGIGKEIT
.
98
4.3.1.3
ZEITEFFEKTSMESSUNG
.
99
4.3.1.4
TEMPERATUREINFLUSS
.
100
4.3.1.5
LICHTEMPFINDLICHKEIT
.
105
4.3.2
KURZZEITEFFEKTE
.
107
4.3.2.1
DYNAMISCHE
AUSGANGSKENNLINIENFELDER
.
107
4.3.2.2
PULSMESSUNGEN
.
108
4.3.2.3
HF-LEISTUNG
BEI
2
GHZ
.
110
4.3.3
EINFLUSS
DER
PASSIVIERUNG
.
112
4.3.3.1
STATISCHE
UND
DYNAMISCHE
ASPEKTE
.
112
4.3.3.2
VERGLEICH
VERSCHIEDENER
PASSIVIERUNGSDICKEN
.
115
5
ZUSAMMENFASSUNG
117
A
PROBEN
121
INHALTSVERZEICHNIS
III
B
KANALLADUNGSTRAEGERDICHTE
NACH
DELAGEBEAUDEUF
123
B.L
ZUSTANDSDICHTE
IM
POTENTIALTOPF
.
123
B.2
DIFFUSIONSSPANNUNG
.
127
B.3
NUMMERISCHES
LOESUNGSVERFAHREN
.
128
C
QUANTISIERUNG
ZWEIDIMENSIONALER
ELEKTRONENGASE
IM
MAGNETFELD
131
C.L
LANDAUNIVEAUS
.
131
C.2
ZUSTANDSDICHTE
IM
MAGNETFELD
.
133
D
HEMT-MODEU
135
D.L
DIE
SCHWELLSPANNUNG
.
136
D.2
LADUNGSKONTROLLE
DURCH
DAS
GATE
.
138
D.3
STROMFLUSS
IM
KANAL
.
139
D.4
DIE
HEMT-GRUNDGLEICHUNGEN
.
140
E
DIE
TLM-MESSMETHODE
145
E.L
DIE
TLM-MESSUNG
.
145
E.1.1
DEFINITIONEN
.
146
E.L.
2
MESSAUFBAU
UND
-DURCHFUEHRUNG
.
146
E.L.
3
DIE
BESTIMMUNGSGLEICHUNGEN
.
147
E.2
THEORETISCHE
BETRACHTUNG
DER
TLM
.
149
E.2.1
DAS
TRANSMISSIONSLEITUNGSMODELL
.
149
E.2.
2
LOESUNG
DER
DIFFERENTIALGLEICHUNGEN
.
151
E.2.
3
ABLEITUNG
DER
BESTIMMUNGSGLEICHUNGEN
.
153
E.3
FEHLERBETRACHTUNG
.
155
E.3.1
NAEHERUNGSFEHLER
VON
P
C
,
L
T
UND
P
A
,K
.
155
E.3.
1.1
FEHLER
VON
L
T
.
156
E.3.
1.2
FEHLER
VON
P
C
.
156
E.3.1.
3
FEHLER
VON
P,
K
.
157
E.3.2
GRENZEN
DER
ENDWIDERSTANDSMESSUNG
.
158
E.3.3
ANFORDERUNGEN
AN
DIE
GEOMETRIE
.
160
E.3.4
MESSFEHLER
DER
KONTAKTABSTAENDE
.
160
E.3.5
UEBERGANGSWIDERSTAENDE
DER
MESSSPITZEN
.
162
E.3.
6
NUMMERISCHE
LOESUNG
FUER
L
T
.
162
E.4
AUSWERTUNG
DER
MESSDATEN
.
164
E.4.1
BERECHNUNG
DER
REGRESSIONSGERADEN
.
165
E.4.2
STATISTISCHE
FEHLER
.
166
E.4.3
AUSWERTUNGSERGEBNISSE
.
167
E.4.4
AUSWERTUNGSPROGRAMM
GENERATE
.
168
F
HF-VERSTAERKER
169
F.L
EINLEITUNG
.
169
F.2
DER
KLASSE-A-VERSTAERKER
.
171
F.2.1
LINEARER
BEREICH
.
171
F.2.
2
UEBERSTEUERTER
KLASSE-A-BETRIEB
.
174
F.3
DER
KLASSE-B-VERSTAERKER
.
177
F.3.1
NUR
GRUNDWELLE
ANGEPASST
.
177
F.3.2
KURZGESCHLOSSENE
OBERWELLEN
.
180
IV
INHALTSVERZEICHNIS
F.3.3
UEBERSTEUERTER
KLASSE-B-BETRIEB
.
180
LITERATURVERZEICHNIS
182
DANKSAGUNG
199
LEBENSLAUF
200 |
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| series2 | Berichte aus der Halbleitertechnik |
| spelling | Dietrich, Ron Verfasser aut AlGaN-GaN-HEMTs für HF-Leistungsanwendungen Ron Dietrich Aachen Shaker 2002 IV, 200 S. Ill., graph. Darst. txt rdacontent n rdamedia nc rdacarrier Berichte aus der Halbleitertechnik Zugl.: Würzburg, Univ., Diss., 2001 Hochschulschrift gtt Leistungsverstärker (DE-588)4129735-0 gnd rswk-swf Aluminiumnitrid (DE-588)4226770-5 gnd rswk-swf HEMT (DE-588)4211873-6 gnd rswk-swf Heterostruktur-Bauelement (DE-588)4236378-0 gnd rswk-swf Galliumnitrid (DE-588)4375592-6 gnd rswk-swf Hochfrequenzverstärker (DE-588)4160154-3 gnd rswk-swf (DE-588)4113937-9 Hochschulschrift gnd-content Aluminiumnitrid (DE-588)4226770-5 s Galliumnitrid (DE-588)4375592-6 s HEMT (DE-588)4211873-6 s Heterostruktur-Bauelement (DE-588)4236378-0 s Leistungsverstärker (DE-588)4129735-0 s Hochfrequenzverstärker (DE-588)4160154-3 s DE-604 DNB Datenaustausch application/pdf http://bvbr.bib-bvb.de:8991/F?func=service&doc_library=BVB01&local_base=BVB01&doc_number=009698533&sequence=000001&line_number=0001&func_code=DB_RECORDS&service_type=MEDIA Inhaltsverzeichnis |
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