Verfügbarkeit: Ladungsbasierte analog-digitale Signalverarbeitung für schnelle CMOS-Bildsensoren

Ladungsbasierte analog-digitale Signalverarbeitung für schnelle CMOS-Bildsensoren:

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Bibliographische Detailangaben
1. Verfasser:	Döge, Jens 1973- (VerfasserIn)
Format:	Abschlussarbeit Buch
Sprache:	German
Veröffentlicht:	Dresden TUDpress 2008
Schriftenreihe:	Dresdner Beiträge zur Sensorik Bd. 32
Schlagworte:	CMOS Phototransistor Analog-Digital-Umsetzer Bildsensor Feldeffekttransistor pn-Übergang Hochschulschrift
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Beschreibung:	XIV, 138 S. Ill., graph. Darst. 23 cm
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adam_text	JENS DOGE LADUNGSBASIERTE ANALOG-DIGITALE SIGNALVERARBEITUNG FUER SCHNELLE CMOS-BILDSENSOREN J[)UEPRESS 2008 INHALTSVERZEICHNIS VORWORT DES HERAUSGEBERS VII ABSTRACT VIII NOTATIONEN UND ABKUERZUNGEN X 1 EINLEITUNG 1 1.1 MOTIVATION 1 1.2 LADUNGSBASIERTE SCHALTUNGSTECHNIK 1 1.3 AUFBAU DER ARBEIT 5 2 SYSTEMENTWURF DES LADUNGSBASIERTEN DATENPFADS 6 2.1 ARCHITEKTURKONZEPT 6 2.2 SPEZIFIKATION 8 2.3 GEPULSTE STROMQUELLE ZUR LADUNGSGENERATION 11 2.4 EINFACHE UND KASKODE-STROMQUELLE 13 2.5 SCHALTER UND ABTASTVORGANG BEI EINER GEPULSTEN STROMQUELLE 17 2.6 STROMQUELLE MIT STROMSPEICHERZELLE (SI-ZELLE) 20 2.7 KOMPARATOR 23 2.8 LADUNGSBASIERTE ANALOG-DIGITAL-WANDLER (CP-ADC) 28 3 PIXELZELLE MIT LADUNGSBASIERTEM RUECKSETZEN 31 3.1 DER PN-UEBERGANG ALS STRAHLUNGSEMPFINDLICHE STRUKTUR 31 3.2 PHOTO-FELDEFFEKTTRANSISTOR (PHOTO-FET) 59 3.3 SCHALTUNGSTECHNIK DER PIXELZELLE MIT PHOTO-FET 67 3.4 PHOTO-FET-TESTFELD IN EINER 90NM CMOS-TECHNOLOGIE 76 3.5 STATISCHE MESSUNGEN 82 3.6 DYNAMISCHE MESSUNGEN 88 3.7 SCHLUSSFOLGERUNGEN 93 4 BILDSENSOR FUER WEISSLICHT-INTERFEROMETRIE 95 4.1 EINFUEHRUNG 95 4.2 WEISSLICHT-INTERFEROMETER 97 4.3 NEUER CMOS-BILDSENSOR ZUR WEISSLICHT-INTERFEROMETRIE 104 4.4 TECHNISCHE DATEN UND SCHLUSSFOLGERUNGEN 115 5 ZUSAMMENFASSUNG 120 LITERATURVERZEICHNIS 123 A RAUSCHEN 129 A.L EINLEITUNG 129 A.2 THERMISCHES RAUSCHEN 129 A.3 SCHROTRAUSCHEN (SHOT NOISE) 130 V INHALTS VERZEICHNIS A.4 FUNKELRAUSCHEN (FLICKER NOISE) 130 A.5 ANDERE RAUSCHARTEN 131 * MODELLIERUNG DES MOS-TRANSISTORS 132 B.L TRANSISTORMODELL ERSTER ORDNUNG 132 B.2 BERUECKSICHTIGUNG DER KANALLAENGENMODULATION 133 B.3 QUASI-STATISCHES KLEINSIGNALMODELL 135 B.4 THERMISCHES RAUSCHEN 135 B.5 PARAMETERSTREUUNG (MISMATCH) 136 VI
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