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    Herstellung und Eigenschaften von GaAs Schottky-Gate Feldeffekttransistoren mit Kanälen hoher Elektronenkonzentration

    Herstellung und Eigenschaften von GaAs Schottky-Gate Feldeffekttransistoren mit Kanälen hoher Elektronenkonzentration von Dämbkes, Heinrich

    Veröffentlicht 1983
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    Herstellung und Eigenschaften von GaAs-Schottky-Gate-Feldeffekttransistoren mit Kanälen hoher Elektronenkonzentration

    Herstellung und Eigenschaften von GaAs-Schottky-Gate-Feldeffekttransistoren mit Kanälen hoher Elektronenkonzentration von Dämbkes, Heinrich

    Veröffentlicht 1983
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