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    Untersuchung der Wachstumskinetik von SiC mithilfe der in-situ Computertomographie des Gasphasenkristallisationsprozesses und der Modellierung der Wachstumsbedingungen

    Untersuchung der Wachstumskinetik von SiC mithilfe der in-situ Computertomographie des Gasphasenkristallisationsprozesses und der Modellierung der Wachstumsbedingungen von Arzig, Matthias

    Veröffentlicht 2021
    Inhaltsverzeichnis
    Abschlussarbeit Buch Fernleihe Bestellen


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    Influence of Morphological Changes in a Source Material on the Growth Interface of 4H-SiC Single Crystals

    Influence of Morphological Changes in a Source Material on the Growth Interface of 4H-SiC Single Crystals von Arzig, Matthias, Steiner, Johannes, Salamon, Michael, Uhlmann, Norman, Wellmann, Peter J.

    Veröffentlicht 2019
    Volltext öffnen
    Elektronisch E-Book Fernleihe Bestellen


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